نیمه هادی IGBT
مخفف Insulated Gate Bipolar Transistor است آنهم یک نوع ترانزیستور دارلینگتون بنام ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده میباشدو در مدولاسیون پهنای پالس - سروو - درایورهای سه فاز باکنترل اندازه دینامیکی بالا با نویز کم و یو پی اس و منابع تغذیه سویچینگ و اینورتور و ... کاربرد دارد و شکل مدار داخلی آن در زیر آمده است. دارای سه پایه کلکتور - امیتر - گیت میباشد.
مخفف Insulated Gate Bipolar Transistor است آنهم یک نوع ترانزیستور دارلینگتون بنام ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده میباشدو در مدولاسیون پهنای پالس - سروو - درایورهای سه فاز باکنترل اندازه دینامیکی بالا با نویز کم و یو پی اس و منابع تغذیه سویچینگ و اینورتور و ... کاربرد دارد و شکل مدار داخلی آن در زیر آمده است. دارای سه پایه کلکتور - امیتر - گیت میباشد.