IGBT یک ترانزیستور قطبی می باشد که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE انجام می شود از دیدگاه خروجی مانند ترانزیستور قطبی است و از دیدگاه ورودی ویژگی های FET را دارد . پایه ی گیت از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترو استاتیکی به کار می روند.سطح این صفحات توسط لایه ی نازکی از اکسید سیلیکون پوشانده شده است وهر یک از این صفحات عایق به سه نیمه هادی در ساختار داخلی IGBT متصل شده است.دو نیمه هادی نوع N و یک نیمه هادی نوع P . توسط اتصال این دو صفحه ی عایق به نیمه هادی ها شش ساختار خازنی به وجود می آید شرط عملکرد این ترانزبستور این است که دو صفحه ی گیت به صورت مثبت شارژ شوند.که در این صورت باعث ایجاد دو تاثیر عمده درداخل IGBT می گردد.
دوست من این دو ترانزیستور 2 قطبی مشخصات نزدیک به هم دارند و میتوان بجایهم استفاده شود فقط دقت کنید که ترتیب پایه ها یک نیستند
یعنی در [h=2]GT60N321[/h]به صورت زیر: